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SANTEC/TMS-2000/高重復(fù)性模型
詳細(xì)資料:產(chǎn)品描述: Santec 的新系統(tǒng) TMS-2000 為半導(dǎo)體晶圓厚度的高精度亞納米測(cè)繪帶來了新的動(dòng)態(tài)。 TMS-2000 采用一種新穎的激光掃描方法(以前未在行業(yè)中用于晶圓測(cè)繪),為行業(yè)帶來了多項(xiàng)優(yōu)勢(shì);對(duì)溫度變化不敏感的精確厚度測(cè)量,單個(gè)系統(tǒng)不僅可以測(cè)量 Si 單層,還可以測(cè)量 SiC 和 GaN 等功率半導(dǎo)體以及 SOI 等多層晶圓,其成本點(diǎn)對(duì)生產(chǎn)中廣泛部署具有吸引力。隨著半導(dǎo)體器件尺寸的減小,光刻工藝的公差變得更加精細(xì),提高了晶圓厚度和場(chǎng)地平整度測(cè)量的高精度的重要性。對(duì)于非接觸式,業(yè)界一直依賴外差干涉或斐索條紋分析系統(tǒng)進(jìn)行亞納米精度測(cè)量,但這些系統(tǒng)在普遍采用方面存在一些缺點(diǎn)。當(dāng)前的這些解決方案需要正面和背面晶圓照明,對(duì)溫度變化和振動(dòng)敏感,并且復(fù)雜性和成本很高。 Santec TMS-2000 解決了當(dāng)前解決方案中發(fā)現(xiàn)的所有問題。 特點(diǎn): 測(cè)量精度高:運(yùn)用干涉檢測(cè)技術(shù),重復(fù)精度可達(dá) 1nm,能精確測(cè)量晶圓厚度和平整度。
測(cè)量參數(shù)豐富:可以分析全局(GFLR、GFLD、GBIR)、站點(diǎn)(SFQR、SFQD、SBIR)、邊緣(ESFQR)等參數(shù),符合 SEMI 標(biāo)準(zhǔn)。
環(huán)境耐受性強(qiáng):對(duì)溫度變化和振動(dòng)不敏感,無需溫度控制或振動(dòng)對(duì)策,可在多種環(huán)境下穩(wěn)定工作。
設(shè)備尺寸緊湊:體積較小,適合多種應(yīng)用場(chǎng)景,便于安裝和使用。
掃描速度快:具備螺旋掃描功能,可實(shí)現(xiàn)高速、高密度掃描,提高測(cè)量效率。
適用范圍廣:不僅可測(cè)量單層硅,還適用于碳化硅、氮化鎵等功率半導(dǎo)體以及 SOI 等多層晶圓,也能用于重?fù)诫s硅的測(cè)量,且采用單面照明方式。
成本優(yōu)勢(shì)明顯:與傳統(tǒng)解決方案相比,具有一定的成本優(yōu)勢(shì),更有利于在生產(chǎn)中廣泛部署。
儀器保證:我們的大多數(shù)設(shè)備在裝運(yùn)之前均經(jīng)過嚴(yán)格的質(zhì)量檢測(cè)與校驗(yàn)。也可申請(qǐng)國家計(jì)量證書。 |
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